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国家杰青 国家纳米科学中心何军研究员来院访问并做学术报告

时间: 2016-11-30      审核人:      作者:

国家杰青、国家纳米科学中心何军研究员在千佛山校区教学二楼2215教室做学术报告

11月24日,应物电学院和科技处邀请,国家杰青、国家纳米科学中心何军研究员到访我校,并在千佛山校区教学二楼2215教室做了题为“Low Dimensional Metal ChalcogenideSemiconductors: Design,Synthesis and Applications(低维金属硫族半导体——设计、合成及应用)”的学术报告。物电学院相关学科的教师和研究生40余人聆听了何军研究员的精彩报告,并与何军研究员进行了热烈的现场互动交流。报告会由物电学院院长程传福教授主持。

何军在报告中首先简要介绍了当前二维纳米材料的若干前沿研究方向,随后介绍了他们课题组在低维金属硫族半导体设计、合成及应用方面的研究,其课题组通过生长动力学控制,运用CVD法成功制备了新型低维金属硫族化合物,在基于低维金属硫族化合物及其复合结构的高效率光电电子器件方面取得的突破性进展,集中讨论了二维层状和非层状金属硫族化合物半导体的可控制制备、性质及在电子和光电子方面的应用,特别介绍了其课题组在P型二维层状材料和非层状窄带隙红外材料方面取得的原创性研究成果。新型低维硫族半导体的可控制备、光电性质研究及器件应用是近年来发展起来的学科前沿和研究热点。何军指出二维材料包括金属硫族半导体材料种类丰富并具有许多优异的物理化学性质,如具有从半金属零带隙到红外、可见光直至深紫外波段的能带带隙、载流子迁移率高及可容易形成各种类型的异质结构等。因此,在电子、光电子和能源器件方面具有重要应用潜力,在信息存储、处理、光电探测等方面具有独特优良的特性和应用前景。何军教授渊博的学识和先进的研究理念,通俗易懂的讲解方法和严谨深入探讨的科学态度给与会师生留下了深刻的印象和启发。何研究员在报告会后与部分教师、研究生就研究和实验技术问题进行了深入的交流和探讨,受到与会师生的欢迎。

何军,国家杰青,现任国家纳米科学中心研究员,博士生导师,2010年入选中科院“百人计划”,2016年获国家杰出青年基金。2003毕业于中科院半导体研究所,获工学博士学位,师从王占国院士。同年8月赴荷兰艾茵霍温科技大学做博士后。2005年-2007年,在美国加州大学圣巴巴拉分校任博士后从事低维半导体材料和器件研究。2007年-2010年美国加州大学洛杉矶分校任研究科学家。已在Nano Letters,Advanced Materials,ACS Nano等国际重要期刊发表SCI论文100余篇,它引大于2000次。目前是英国IOP杂志Nanotechnology编委,自然杂志NPJ 2D Material杂志编委。主要研究领域为应变自组装纳米结构材料的可控生长和光电性质研究及器件应用,在新型低维硫族半导体的可控制备及器件应用,尤其在通过材料结构设计、生长控制、性能调控及器件优化,实现高性能低维硫族半导体的电子、光电子器件应用方面有诸多新的发现与理论建树。

(供稿:王公堂/任俊峰 审阅:胡桂香/程传福 编辑:崔洪泰)